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双离子束溅射镀膜机

scia Coat 200

scia Coat 200双离子束溅射镀膜机,具有极好的均匀性,适用于直径Φ200 mm基底的镀膜。用离子束溅射镀膜代替其他镀膜工艺,可以获得光滑无缺陷的薄膜。在线膜厚光学监控确保了良好的工艺稳定性。此外,该系统能够适用包括晶圆在内的任意形状的基板。

常规属性

- 主离子源用于溅射靶材到样品基底上,沉积成膜;次离子源用于样品表面离子束轰击清洗或辅助镀膜。

- 可沉积介质和金属膜

- 具有在线基底预处理 (刻蚀、清洗、平滑化)功能

- 通过基板旋转和倾斜,可以获得极好的沉积均匀性 

- 转鼓靶架上最多可有5个水冷靶材料,用于在线更换

- 使用石英晶振和/或光学厚度监视器(OTM),菜单式控制多层膜沉积

- 适应不同的基底尺寸

- 可选配备Φ350 mm离子束源作为辅助源,也可用于离子束蚀刻工艺

- 应用于磁传感器多层膜(GMR、TMR、自旋电子)

- 应用于高激光损伤阈值薄膜的沉积


性能参数

scia Coat 200

样品基底尺寸(最大)           

Φ200mm

样品台与样品夹具

水冷,氦背板冷却,样品转速5-20 rpm, 可在线旋转0° to 160° 步进 0.1°
射频离子源

Φ 120 mm 圆形RF源 (RF120-e)

Assist source: 120 mm circular RF source (RF120-e) or

350 mm circular RF source (RF350-e) or

218 mm circular microwave ECR source (MW218-e)

辅助离子源

Φ 120 mm 圆形RF源 (RF120-e)

或 Φ 350 mm 圆形RF源 (RF350-e)

或 Φ 218 mm 圆形微波ECR源 (MW218-e)

中和器

热灯丝 (N-DC) 

或射频 (N-RF) 等离子体桥中和器

靶材转鼓

最多可装载5种靶材(每种最大Φ220 mm),或4种靶材(每种最大Φ300 mm),靶材水冷,可调倾斜。       

典型沉积速率

Ag: 35 nm/min

Al: 10 nm/min

Si: 15 nm/min

Ti: 8 nm/min

Al2O3: 15 nm/min

Ta2O5: 15 nm/min

TiO2: 6 nm/min

SiO2: 20 nm/min

均匀性变化

≤ 0.5 % (σ/mean)

基础真空

< 5 x 10-7 mbar

系统尺寸 (W x D x H)

3.10 m x 1.70 m x 2.40 m (单工作仓,带盒装载,不含电柜与真空泵)

基本配置

单工作仓,带单样品loadlock

软件界面

SECS II / GEM, OPC



可选配置

- 单工作仓可选盒式载具

- 可选组合式系统带盒式载具

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