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scia Mill 200

scia Mill 200适用于在多种材料复杂多层膜上的微结构刻蚀。该系统对活性气体相容,能够进行反应蚀刻工艺以提高选择性和刻蚀速率。scia Mill 200采用灵活的模块化设计,可以有单样品的适合研发的版本,也可以进行组合式布局最多至3个工作仓和2个晶圆载具load-lock,以适合批量生产。

常规属性

- 采用圆形离子源对全部样品区域在惰性或反应气体环境下进行刻蚀

- 可进行离子束刻蚀(IBE、IBM)、反应离子束刻蚀(RIBE)和化学辅助离子束刻蚀(CAIBE)

- 刻蚀角度调整:样品台可以旋转且倾斜可调

- 可获得极好的均匀性而无需修正挡板

- 通过反应气体可以提高刻蚀速率,并控制刻蚀选择性

- 通过基于SIMS(二次离子质谱)或光学的截止点探测技术控制工艺

- 可以刻蚀光刻胶晶圆,具有良好的样品冷却配置

- 在不同的组合式布局中可以进行全自动载具操作,包括SECS/GEM通讯。

系统性能

scia Mill 200

样品尺寸

ф200mm

样品夹具

水冷,氦背板冷却

转速:5 - 20 rpm

倾斜:0° - 175°

步长:0.1°

离子源

ф350mm圆形射频源RF350-e

中和器

RF等离子体桥中和器N-RF

参考刻蚀速率

Pt:  35 nm/min

Cu:  44 nm/min

W:   17 nm/min

SiO2: 20nm/min

刻蚀均匀性

≦ 1% (σ/mean)

产能

12 Wafer/h (100 nm SiO2 on 200 mm wafer)   

基础真空度

5 x 10-7 mbar

尺寸(不含电柜与真空泵)       

3.2 m x 2.5 m x 2.5 m (3个工作仓 + 晶圆载具)                  

软件界面

SECS II / GEM, OPC

标准配置

1 个工作仓


配置选项

- 单片 Load-Lock(可选), OES 或SIMS截止点探测器(可选)

-单片 Load-Lock(可选);

-组合式布局可至3个工作仓和晶圆载具;

-OES 或SIMS截止点探测器(可选)

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