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scia mill 300

scia Mill 300适合针对直径达300 mm的各种基底材料的离子束刻蚀。该系统对活性气体相容,能够进行反应蚀刻工艺以提高刻蚀选择比和刻蚀速率,并可配备不同的终点检测装置以精确地控制工艺过程。scia Mill 300采用灵活的模块化设计,既可用于盒式装载的大批量生产,也可用于单基板装载的小规模生产。

名词解释

离子束刻蚀IBE/IBM:使用惰性气体准直离子束进行表面结构或材料去除

反应离子束蚀刻RIBE:将反应气体引入离子束源,用于表面反应蚀刻

化学辅助离子束蚀刻CAIBE:使用独立于离子束的反应气体对表面进行化学反应以辅助蚀刻


常规属性

- 可进行离子束刻蚀(IBE、IBM)、反应离子束刻蚀(RIBE)和化学辅助离子束刻蚀(CAIBE)

- 刻蚀角度调整:样品台可以旋转且倾斜可调

- 即使不使用修正挡板,也可获得极好的均匀性

- 可使用反应气体以提高刻蚀速率,并控制刻蚀选择比

- 通过基于SIMS(二次离子质谱)或光学的截止点探测技术控制工艺

- 可以刻蚀光刻胶晶圆,具有良好的样品冷却配置

- 在不同的组合式布局中可以进行全自动载具操作,包括SECS/GEM通讯。

- 重点应用:

   表面浮雕光栅SRG的制造,用于AR、MR的器件

   隧道磁阻(TMR)传感器用磁性多层膜

   红外传感器用超薄钽酸锂的制备

   集成电路芯片器件的逆向工程


系统性能


scia mill 300

样品尺寸

Ф300mm
样品夹具

水冷,氦背板冷却

转速:1 - 20 rpm

倾斜:0° - 175°

步长:0.1°

离子源

450mm圆形射频源RF450-e

中和器

射频等离子体桥中和器N-RF
参考刻蚀速率
Pt:  35 nm/min

Cu:  44 nm/min

W:   17 nm/min

SiO2: 20 nm/min(惰性)

SiO2: 40-60 nm/min (反应

刻蚀均匀性

≦ 2.5% (σ/mean)

产能

12 Wafer/h (100 nm SiO2 去除)

基础真空度

5 x 10-7 mbar

尺寸(不含电柜与真空泵)     

2.7 m x 1.5 m x 2.0 m (1个工作仓 + 单晶圆载具LoadLock)      

软件界面

SECS II / GEM, OPC


可配置选项

- 单片 Load-Lock(可选);组合式布局可至3个工作仓和晶圆载具

- 光学截止点探测器OES 或二次离子质谱截止点探测器SIMS

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